Ⅰ CMOS射频集成电路设计图书简介
这本书是《CMOS射频集成电路设计》的第二版，被誉为射频集成电路设计的权威指南。它深入详尽地探讨了设计GHz级CMOS射频集成电路的各个方面。首先，它以无线电发展简史和无线系统的基本原理为引导，为读者提供了全面的背景知识。
书中首先回顾了集成电路元件的基本特性，包括MOS器件的物理特性和模型，以及RLC串并联网络和分布式系统的特点。接着，史密斯圆图、S参数和带宽估计技术被详细介绍，这些都是高频设计中的重要工具。设计现代高频宽带放大器的方法是本书的核心内容，涉及低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器等关键模块的深入剖析。
对于射频集成电路中的噪声问题，无论是振荡电路中的相位噪声，都进行了深入的讨论，帮助读者理解噪声特性及其在设计中的影响。书的尾章，作者探讨了射频接收器的整体架构，并对射频电路的未来发展给出了前瞻性的见解。
丰富的电路图、插图以及富有挑战性的习题使这本书成为高年级本科生和研究生学习射频电子学课程的理想教材。对于那些在射频集成电路设计或相关领域进行实践的工程师来说，它同样是一本极具参考价值的书籍。作者Thomas H.Lee，一位在1990年获得麻省理工学院电机工程博士学位的斯坦福大学电气工程系副教授，他的研究成果丰硕，是IEEE固态电路协会和微波理论与技术协会的杰出演讲者，曾多次在国际会议上荣膺“最佳论文”奖，并荣获Packard基金会的研究基金支持。