A. 半导体设备有哪些种类
一、分立器件
1、 二极管
A、一般整流用
B、高速整流用：
①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）
②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）
③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）
C、定压二极管（齐纳二极管）
D、高频二极管
①变容二极管
②PIN二极管
③穿透二极管
④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管
2、 晶体管
①双极晶体管
②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）
Ⅰ、接合型FET
Ⅱ、MOSFET
③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)
3、 晶闸管
①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅
②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管）
③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）
二、光电半导体
1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）
2、激光半导体
3、受光器件
①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）
②光电晶体管（Photo Transistor）
③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）
④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互补型金属氧化膜半导体）
4、光耦(photo Relay)
①光继电器（photo Relay)
②光断路器（photo Interrupter）
5、光通讯用器件
三、逻辑IC
1、通用逻辑IC
2、微处理器（Micro Processor）
①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)
②RISC(Reced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)
3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)
4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）
①栅陈列（Gate-Array Device）
②SC(Standard Cell:标准器件)
③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)
5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）
6、系统LSI（System LSI）
四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）
1、电源用IC
2、运算放大器（OP具Amp）
3、AD、DA转换器（AD DA Converter）
4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)
五、存储器
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)
2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)
3、快闪式存储器(Flash Memory)
4、掩模ROM(mask Memory)
5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)
6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)
B. 什么是半导体电子厂做什么产品的
半导体电子厂主要生产TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126型产品。x0dx0a产品：三极管广泛应用于玩具、电子节能灯、数码技术产品、通讯、电视、工业自动化及家用电器领域，上芯、焊线、塑封、测隐衫试分选、激光打印等自动化生产设备。x0dx0ax0dx0a电子厂的半导体指的是x0dx0a锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。x0dx0ax0dx0a半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（衡侍热敏电阻）；利用它的光敏特性灶拦腔可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。x0dx0ax0dx0a半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。 x0dx0ax0dx0a把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。