‘壹’ 在华为手机里如何关闭支付宝的“读取存储卡中内容”，以及“修改删除存储卡中内容”这两项权限
禁止访问存储卡：设置-应用-权限管理-支付宝-存储-禁止
修改删除存储卡中内容：简单粗暴的做法就是卸载支付宝的时候清除所有设置信息或记录；其它方法一般情况下是无法修改或删除这些内容的。
注意：即使卸载支付宝，只是你手机里的记录被删除了，你在支付宝的所有操作记录，在马云的服务器里还是存在并能随时查询追踪的，so，你的想法可能要化为泡影啦......
诉讼就不要想了，人家平台都有合法协议，在你使用之前都让你阅读并确认过的，打官司是肯定没有胜算的。
现在市场上的软件行行总总，五花八门，几乎都会要求注册认证之类的，所以你一个的信息对他们来说并不值钱，人家要的是大数据，只有量做大了，才会产生财富。so，你只是天上的那一颗并不耀眼的小星星......
‘贰’ 修改硬盘信息
某楼的人说我说得不对，那么重看吧，硬盘号有2种：
第一种：硬盘序列号，包含了厂商、型号、容量
例1：WD2500JB-00EVAO(西部数据)
例2：ST3160023AS(西捷酷鱼)
参考资料：http://..com/question/36225691.html?si=1
修改它的软件有：“PC3000”，在disc ID菜单中更改。
软件下载：http://www.onlinedown.net/soft/29459.htm
现在市面上有不少所谓破解版的pc3000，就是不需要卡的那种。 但是经过多次测试，效果非常不理想，经常出现把硬盘修报废的情况。 现在市面上还有一种也是破解版的pc3000，不过这种是带卡带加密狗的，这样的可以考虑购买。1000元左右。
目前最好的修硬盘的软件也就是pc3000了，其它的也都是贵的离谱。
http://www.fixdisk.net/Html/Pc3KFile/063251354281505462.htm
http://..com/question/27308950.html?si=4&wtp=wk
第二种：(分区)卷的序列号，每格式化1次就变一次，●软件都是调用这个作为注册依据的。
例：驱动器 F 中的卷是 备份 卷的序列号是 C250-B732
磁盘序列号，简称磁盘ID，是对磁盘进行格式化时随机产生的磁盘标识信息，是一个卷序列号。同一机器两次格式化随机产生固定格式的序列号相同几率几乎为零，即如果重新分区，磁盘序列号将会随之改变。DOS的后期版本和WINDOWS、WINNT均采用了这种磁盘标识方式，因而磁盘序列号常被运用用于商业化软件进行加密使用。从WINDOWS9.X切换到MS-DOS方式，键入DIR命令后回车，屏幕出现当前卷标序列号信息，这个类似"0A48-1CD7"的序列号是一个16进制数。一些限期使用的软件，在使用期限到了之后，会要求使用者在线申请新的授权序列号（使用许可）。这种授权序列号相当一部分是采用了静态磁盘序列号结合时间产生的。安装完毕之后的软件，程序即使被非法拷贝到非初始安装环境中，也不能使用。
硬盘的号码有时候是需要改变的，这是因为有些软件的许可证号码是和硬盘号码有关系的。
更改硬盘号的步骤：
（1）一般需要使用windows启动盘启动计算机。
（2）使用VOL命令，查看欲修改的硬盘序列号码，并用笔记录。 例如： 该硬盘号码为0B3214E7
（2）启动Debug (一条DOS命令，调试工具)
（3）使用L命令将硬盘中存放硬盘序列号放入开始地址为100的内存中。 命令格式 L 内存开始地址 驱动器代码 开始扇区 扇区数 其中：内存开始地址 一般为100 驱动器代码 A盘------0 B盘------1 C盘------2 D盘------3 开始扇区 磁盘序列号放在0扇区 扇区数 取一个扇区就可以 例： L 100 2 0 1 表示将C盘的第0扇区放入开始地址为100的内存中
（4）使用D命令观察内存内容 命令格式：D 〔地址〕 例： D 100 表示将内存地址为100的内容显示到屏幕上
(5) 在屏幕上找硬盘序列号，将记录的硬盘号码与显示的内容相比较，找硬盘号的地址 例如，硬盘号码是0B3214E7, 经过比较，可知硬盘序列号的地址是143，144，145和146 注意：各个计算机的硬盘号码所在地址不同，都需要通过比较的方法寻找 找到后，可以输入命令：D 143 以确定号码地址的正确性。
(5) 修改硬盘号码，将修改的硬盘号码写入内存。 命令格式：E 地址 内容 其中： 地址 为欲修改内存的地址 内容 为修改后的内容，在这里是硬盘号码 ，如果要将硬盘号码修改为22e75628 则输入： E 143 28 E 144 56 E 145 e7 E 146 22
（6）使用写入命令将内存中内容写入硬盘 命令格式： W 内存开始地址 驱动器代码 开始扇区 扇区数 其中，内存开始地址、驱动器代码、开始扇区、扇区数，应该和L命令的参数一致，这一点非常重要，否则硬盘就不能使用了。
（7）使用Q命令退出DEBUG,启动计算机后，再用VOL命令检查硬盘序列号，可以观察到硬盘号已经变了。
还可以用某些软件改
www.mydrivers.com上可能有
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补充：硬盘序列号存在Firmware中，在windows下无法读取，必须在DOS实模式中用工具才能查看。
分区序列号可以在windows中读取，可以用汇编或调用API函数编程看到。
‘叁’ 我想问一下，C++中的文件操作如何修改信息啊 例如我想修改的5行的信息，怎么改啊，谢谢
可以一行一行的读到内存中，读到第五行的信息，修改然后保存到文件中。需要注意的是这时文件操作位置在第六行的开始位置，需要跳回到第五行开始处，否则会覆盖第六行及以后的数据；而第六行及第六行以后的数据需要在写入前先读出来，写入修改后的第五行数据后再写回去。
如果修改数等长的话，建议使用内存映射函数系列windows API函数，这样可以避免处理第六行及以后的数据，会简单很多，尤其是大文件的时候。
‘肆’ 如何读取flash中的内容
flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”，全名叫Flash EEPROM Memory。
Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。
目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlash以外，还加上了一块小的NORFlash来运行启动代码。
一般小容量的用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung，Toshiba，Micron和Hynix。
片内flash还是片外flash，spi接口还是其他的接口。ARM片子不一样，答案就不一样。根据flash手册，按照手册写驱动。
‘伍’ nand flash的oob能不能随意修改
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 ● NOR的读速度比NAND稍快一些。 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 接口差别 NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 容量和成本 NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。 可*性和耐用性 采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可*性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可*性。 寿命(耐用性) 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。 位交换 所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。 一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。 当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。 这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可*性。 坏块处理 NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。 NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可*的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。 易于使用 可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。 由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。 在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 软件支持 当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。 驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。 与非门的FLASH是相对或非门的FLASH而言 两者除了在设计上采用了NAND和NOR实现这个主要区别外，有如下主要区别： 1。总线接口上，NOR的接口类型一般的总线接口，与SRAM器件相似。NAND则是IO接口，需要另外逻辑才能作为MEMORY (当然是厂家做好了的) 2。NOR的器件支持随机访问，而NAND的只支持顺序访问。因此NAND一般用在大规模存贮，而NOR的用于存程序代码， 直接运行程序。而NAND放程序时，要先LOAD到RAM中再跑 3。NOR的每个CELL占更大的面积，NAND的小多了，因此同样容量的价格NAND的低很多
麻烦采纳，谢谢!
‘陆’ ROM是只读存储，手机的ROM可以相当于电脑的硬盘吗该怎么能修改里面的信息
手机 存储使用的是EPROM，即可多次编程的只读存储器，可以利用紫外线或者电擦除信息，我们所说的只能读不能写的概念还停留在掩膜ROM，利用的是二次光刻制成，一旦制出成品后，只能读取，不能修改，例如小孩子的玩具一类的，音乐贺卡之类的批量大的定型产品，都只能播放相同的音乐。