A. 如何用万用表检测MOS管是好是坏
以N沟道MOS场效应管5N60C为例,来详细介绍一下具体的测量方法。
1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法
6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。
上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样,只是万用表表笔需要调换一下极性。
(1)表格数据中的mos是什么意思扩展阅读:
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconctor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。