硅棒粘膠技術如何品棒

⑴ 多晶矽片在分選過程中出現粘膠面中間硅粉脫落（清洗過程中看不出來，嚴重的形成崩邊和硅落）的原因

當你的硅棒被線切割後，其底部有殘余鑄錠，這是將棒料放置到水槽中，用普通自來水少高壓，沖洗，沖洗時沿著片子的外邊緣，來回走兩遍，然後放在一邊，再用再一次沖洗，

這樣就沒問題了，和你的鑄錠沒有關系，是清洗的方法不對，

我是一個研發人員，如貴公司需要清洗後的設備，比如矽片的分片，等自動化設備，可以提供技術支持

⑵ 硅橡膠模壓產品加工的技術要點

是不是顏料分散不均造成。可以換換廠家的混煉膠試試，如果自己加顏料在開煉機先混勻顏料再加硫化劑。

⑶ 單晶硅的生產工藝流程

摘要 直拉法和區熔法是制備單晶硅最常用的方法

⑷ 膠棒和玻璃膠的區別

主要區別有，含有成分不同、應用不同、使用方式不同，具體如下：

一、含有成分不同

1、膠棒

是以乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)為主要材料，加入增粘劑與其它成分配合而成的固體型粘合劑。

二、應用不同

1、膠棒

應用於塑料、金屬、木材、紙類、玩具、電子、傢具、皮革、工藝品、鞋材、塗布、陶瓷、燈罩、珍珠棉、食品包裝、音箱等粘合。

2、玻璃膠

玻璃膠按性能分為兩種，中性玻璃膠和酸性玻璃膠：

①、中性玻璃膠一般用於家裝粘接。家裝中一般使用玻璃膠的地方有，木線背面啞口處、潔具、坐便器、衛生間里的化妝鏡、洗手池與牆面的縫隙處等。

②、酸性玻璃膠一般用在木線背面的啞口處，粘接力很強。

三、使用方式不同

1、膠棒

通過熱熔膠槍，熱熔膠機，加熱使用。

2、玻璃膠

通過玻璃膠槍打膠使用，不需要加熱。

⑸ 矽片切割廢砂漿提取碳化硅後的廢濾餅還可以做什麼

各種矽片不良的解決方案

一。斷線：如何讓預防斷線；斷線後如何處理（M&B。NTC HCT）把損失降低到最少
二。矽片崩邊。線式崩邊 點式崩邊 倒角崩邊
三。厚薄不均：一個角偏薄，厚薄不均
四。線痕：密集線痕 亮線線痕
五。花污片：脫膠造成的花污片 清洗造成的花污片

在太陽能光伏、OLED、LED、TFT、LCD、光電光學行業、化工、電子、電鍍、玻璃等領域，東莞恆田水處理設備公司擁有多年的太陽能光伏、、OLED 、LED、LCD、光電光學行業、化工、電子、電鍍、玻璃等行業脫鹽水和超純水設備的設計、安裝、調試和售後服務的成功經驗。

接下來我將對以上五種關鍵不良做從5M1E6個方面做詳細的分析 預防 善後 等

具體是什麼參數比如0.10鋼線要求瞬間破斷力多少？1200# 1500# 2000#碳化硅的顆粒圓形度 粒徑大小要求 黏度張力要求多少等

大家去按照這個方向去找對策做計劃（P），做好可量化的點檢表（D），主管親自抓班長去督導（C），總結檢查的結果進行處理，成功的經驗加以肯定並適當推廣、標准化；失敗的教訓加以總結，以免重現，未解決的問題放到下一個PDCA循環（A）。
這個雖然寫的是M&B264的原因分析，但是從標准化管理角度來說，應該還是具有普遍意義的哦
斷線善後處理首先做好斷線記錄（斷線時間、機台號、部位、切深）留好線頭
1.
查明斷線原因及斷線情況.
2.
及時上報，未經同意，不得私自處理。
3.
處理流程：1.在出線端斷線,寬度不超過10毫米的直接拉線切割.
2.切深≦60mm中部或進線端斷線，以30mm/min直接升起，迅速布線，8000流量砂漿沖洗，沖片時在線網上鋪上無塵紙，
沖開粘在一起的片子後，迅速把晶棒降到距線網2mm處，然後
以10mm/min的進給認真仔細的「認刀」。3.中部或進線端斷線，切深在50mm---80mm之間的，以10mm/min的速度升料到距進刀處30--40毫米,，停止。線速調到2m/s，以2%走線1cm，以調平線網，停止。打開砂漿8000流量均勻沖片子。把晶棒兩側的線網小心的剪掉（剪時要用手捏著）,留出3-4厘米的線頭,另一端不剪.(進線端有線網的一定要保留該部分線網,以便重新布線.剪兩側線網時一定要用手或其他夾緊物,夾緊預留的線網頭.)布線網,重新切割。4進線端或中部斷線切深超過80mm的視情況能認刀的就認刀否則就反切或直接拉線正向切割。
4.進線端斷線，第一次斷線，切深在80mm.1換掉放線輪，用一個空的收線輪來代替。以低於原2N（左19和右21）的張力，切割線方向改為:右，其他參數不變,手動2m/s的線速走1m,不要開砂漿。2把晶棒提升至30---40mm處，重新對接焊線，焊線時要焊接均勻，焊接點的點徑要和線徑相同。經15N的線速走線300——400米，改張力為自動切割的張力，每秒1米，不開沙漿，走到出線端5米時，把張力改為15N，待線頭在收線輪上繞2——3圈，改回原來的張力。把晶棒壓到斷線位置誤差在0.05mm，打開砂漿。以1m/s速度的20%，走上1m，經班長確認無誤後進行切割。
5.經上環節中必須處理好線網（其中包括，碎片、膠條、沙漿顆粒）在升晶棒前，把膠條去掉，上升速度為每分鍾10mm,上升過程中如夾線，不可用手去摸，只能用手動輕微探摁一下，把線網走平。
6.認線前5m/s的速度走線100m，在不松開張力的情況下，停止走線，然後以10mm/min認刀，要一次性認進。
7.反向切割設置修改：進給降低1個百分點，線速降低1M/S，流量增加300KG/H。
8.線頭編號方法:年+月+日+機台號+第幾次斷線數.例如:080501-20-01
9.請工序稽查人員按照此標准做巡檢
崩邊問題問題點：粘膠面崩邊
異常現象：脫膠後，在方棒兩頭的矽片粘膠面呈現邊沿發亮，
硅層呈線式脫落崩邊, 及距粘膠面0.1mm處線式崩邊。脫膠和清洗
時觀察不到崩邊，檢驗時能發現崩邊。
原因分析：
一.開方進給不穩，外圓刀鋸轉速不穩，刀鋸金剛砂層質量不好，造成刀痕過重，方棒表面刀紋不平，凹凸起伏，隱型損傷（指的是鋸開方）線開方損傷可忽略
二.方棒溫度低，膠在凝固時的高溫反應熱，破壞了粘膠面的硅層結構
三.矽片預沖洗水溫低於XX度，脫膠水溫低於XX度，膠層未完全軟化時員工就用手把矽片用力作倒。
四.由於採用的是小槽距大線徑，不可避免會在出刀時造成矽片向阻力小的一方的傾斜，方棒兩頭的矽片受到的阻力最
小，造成兩個棒
子四個頭部近32毫米長度內的矽片出現崩邊。
五.粘接劑太硬（不便說出硬度系數），在鋼線出硅棒粘膠面的瞬間，破壞了硅層。
預防措施：

一.脫膠，經過控制脫膠的規范操作，即使前道工序已經對方棒表面產生不良影響，經過優化粘膠方式和手法，也要把損失降低到最

低點。在目前的設備配置前提下，嚴格要求脫膠工「45~50 度溫水，浸泡25分鍾」
聯系設備部，做矽片隔條，降低矽片倒伏時的傾度。
二.嚴格控制方棒超聲池的水溫在40度，超聲到粘膠的時間間隔控制在2小時內，粘膠房的溫度控制在25度，濕度不超過50%。
三.對開方機進行一次進給和轉速校正，開方後的方棒經打磨後再滾圓。並請設備部做出設備三級維護計劃書。做定期維護保養
四.「分線網」矽片切割：方棒兩頭各留出2mm不切割，減少切割過程中矽片向兩側「分叉」
另外一種辦法：做一個可調試擋板系統，擋住
方棒兩頭，防止矽片「分叉」崩邊。
五，採用線開方和磨面機，有條件的最好腐蝕一下。更換粘接力強但硬度適中的粘接劑

善後處理：磨砂玻璃和1700#碳化硅 按一定的水分比例選擇某種手勢，力度，角度磨掉在邊長要求范圍內的崩邊（標准作業指導書）
厚薄不均5m1e分析

矽片厚薄不均預防措施

一.TV偏大或偏小：根據客戶要求片厚，計算出最佳成本/質量的槽距，鋼線，碳化硅，砂漿密度。
二.TTV》15mm的矽片佔比超過0.62%，屬於異常。對於一次切割的單位，應增加導向條（部位不提供），兩次切割的單位最好把導輪（主輥）槽距改一下或第二次切割時砂漿流量增大500公斤/小時（5l/min）或多更換20公斤砂漿。
三.矽片的進刀處的進線端（角）偏薄或偏厚，應修改進刀時的砂漿流量
四：同一個矽片的厚度呈大-小-大-小分布的，應調整切割工藝程序。進給，線速，流量應均勻同步變化。
五，跳線引起的某刀矽片厚度異常，同一個片
的厚度異常，不同片子的厚度偏差等，因通過加過濾網/過濾袋/振盪過濾器和切割前仔細過濾，沒有跳線來消除

⑹ 杯子把壞了，用熱熔膠棒粘上了

熱熔膠到時不會溶於水，但是熱熔膠時間長了以後容易與杯子脫離。如果杯子是陶瓷的話就更容易脫離些。

⑺ 硅棒\矽片加工生產

目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法佔了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導體工業採用，主要在於它的高氧含量提供了晶片強化的優點。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒。 目前國內主要採用CZ法 CZ法主要設備：CZ生長爐 CZ法生長爐的組成元件可分成四部分 （1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 （2）晶棒及坩堝拉升旋轉機構：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉元件 （3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統及壓力控制閥 （4）控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統 加工工藝： 加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長 （1）加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的種類依電阻的N或P型而定。雜質種類有硼，磷，銻，砷。 （2）熔化：加完多晶硅原料於石英堝內後，長晶爐必須關閉並抽成真空後充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內，然後打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。 （3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之後，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由於籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由於位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產生零位錯的晶體。 （4）放肩生長：長完細頸之後，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。 （5）等徑生長：長完細頸和肩部之後，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶矽片取自於等徑部分。 （6）尾部生長：在長完等徑部分之後，如果立刻將晶棒與液面分開，那麼效應力將使得晶棒出現位錯與滑移線。於是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間後取出，即完成一次生長周期。 單晶硅棒加工成單晶硅拋光矽片 加工流程： 單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片 倒角→研磨 腐蝕--拋光→清洗→包裝 切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。 切斷的設備：內園切割機或外園切割機 切斷用主要進口材料：刀片 外徑磨削：由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 外徑滾磨的設備：磨床 平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結晶方向平邊或V型。 處理的設備：磨床及X－RAY繞射儀。 切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 切片的設備：內園切割機或線切割機 倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 倒角的主要設備：倒角機 研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。 研磨的設備：研磨機（雙面研磨） 主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。 腐蝕：指經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。 腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被採用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。 （B）鹼性腐蝕，鹼性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。 拋光：指單晶矽片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。 拋光的設備：多片式拋光機，單片式拋光機。 拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um； 精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：拋光液由具有SiO2的微細懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。 清洗：在單晶矽片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光後的最終清洗。清洗的目的在於清除晶片表面所有的污染源。 清洗的方式：主要是傳統的RCA濕式化學洗凈技術。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）損耗產生的原因 A.多晶硅--單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產生損耗是重摻堝底料、頭尾料則無法再利用，只能當成冶金行業如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產生損耗是非重摻堝底料、頭尾料可利用製成低檔次的硅產品，此部分應按邊角料征稅。 重摻料是指將多晶硅原料及接近飽和量的雜質（種類有硼，磷，銻，砷。雜質的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內溶化而成的料。 重摻料主要用於生產低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的矽片。 損耗：單晶拉制完畢後的堝底料約15％。 單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。 單晶整形過程中（外徑磨削工序）由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。 希望能對你有幫助!

⑻ 單晶硅棒是什麼

指的是硅原子的一種排列形式形成的物質。硅是最常見應用最廣的半導體材料，當熔融的單質硅凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成晶核，其晶核長成晶面取向相同的晶粒，形成單晶硅。單晶硅作為一種比較活潑的非金屬元素晶體，是晶體材料的重要組成部分，處於新材料發展的前沿。

單晶硅材料製造要經過如下過程：石英砂－冶金級硅－提純和精煉－沉積多晶硅錠－單晶硅－矽片切割。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加。

與多晶硅的區別

晶體硅根據晶體取向不同又分為單晶硅和多晶硅。單晶硅和多晶硅的區別是；當熔融的單質硅凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅；如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。

多晶硅和單晶硅的差異主要在物理性質方面，例如在力學性質、電學性質等方面，多晶硅不如單晶硅。多晶硅可作為控制單晶硅的原料，也是太陽能電池和光伏發電的基礎材料。單晶硅可算的是世界上最純凈的物質了，一般的半導體器件要求硅的純度在6個9（6N)以上。

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