㈠ 國產晶元再傳好消息，打破西方壟斷，已掌握3個關鍵製造環節
國外掌握大量的晶元製造技術，在晶元製造領域，很多頂級的設備，材料都需要從國外進口。因為對國外有非常大的晶元依賴，導致我國每年的晶元進口額都在3000億美元以上。
去年美國對中國企業實施晶元規則，導如兆攔致中國企業失去了采購晶元，代工晶元的渠道。被晶元卡脖子以後，中國也在加緊自研，盡全力攻克一系列的技術。
有眾多優秀的中國半導體企業參與其中，國產晶元也再傳好消息，成功掌握3個關鍵製造環節技術，打破西方壟斷。
第一項技術：離子注入機
和光刻機一樣，離子注入機也是晶元製造過程中必不可少的核心設備之一。渣胡通過離子注入機可以實現對半導體材料，集成電路的離子注入，從而完成對半導體金屬材料的改性及制膜等等。
而中國在離子注入機就取得了相應的突破，由中國電科旗下的附屬裝備集團，成功打造出離子注入機的全譜系產品國產化，可實現對28nm工藝的覆蓋。
中國對應的晶元製造環節缺陷，也被彌補。
第二項技術：刻蝕機
中國刻蝕機巨頭中微半導體取得了關鍵突破。在過去的幾十年中，中微公司猜銷從默默無聞的小企業，成為全球五大刻蝕機設備供應商之一。
在台積電的5nm生產線中，就採用了中微半導體的12英寸高端刻蝕機設備。另外中微半導體取得的關鍵突破在於3nm刻蝕機Alpha 原型機，這一設備已經實現從設計到測試一系列的開發，評估。
刻蝕機的作用在於，通過納米級別的技術，在集成電路矽片上實現晶體管線路圖的雕刻。到了高端刻蝕機級別，能夠在上千層的集成電路中完成刻蝕任務。
如果把晶元比作大樓，那麼刻蝕機的任務就是在幾百，幾千層的大樓中，完成每一個樓層的精裝修。
精確程度要實現每一樓層的微小復刻，把設計圖紙上的所有細節，都完美刻蝕出來。如此復雜的刻蝕機設備，對晶元製造的作用性不亞於光刻機。
第三項技術：光刻膠
晶元製造涉及到非常多的工藝，步驟。在正式進入到晶元製造之前，需要在矽片上塗抹光刻膠。通過光刻膠的作用，讓矽片保持完整，並確保每一個晶體管，集成電路都能得到保護。
這樣在後續的刻蝕，離子注入過程中，都能順利進行。品質越是高端的光刻膠，效果就越好。日本占據全球光刻膠的主要市場，並達到了壟斷水準。
中國光刻膠企業不負眾望，以南大光電為代表，成功實現Arf光刻膠產品的客戶驗證。並實現小批量出售。
不只是南大光電，此前晶瑞股份曾花費七千多萬人民幣購買了一台ASML光刻機，雖然是二手的，但是對研發28nm高端光刻膠也有重大意義。
另外上海新陽采購的ASML光刻機也有多台進入到生產線，對參與國產高端光刻膠的研發都是有巨大幫助的。
中國晶元在離子注入機、刻蝕機、光刻膠這三大晶元製造環節技術中，都取得了相應的突破進展。有研究報告顯示，中國將在近兩年內實現28nm晶元的自給自足。有能力應對中低端成熟工藝晶元的自主研發，生產。
國產晶元正在逐步打破西方國家的壟斷，在實現技術自主可控這一方面，中國企業持之以恆，勢必能助力中國晶元的崛起。3個關鍵晶元製造環節或許只是冰山一角，還有更多的技術，產品及設備都在研製當中。
中國會掌握更多的晶元製造技術，光刻機、晶元製程等等，都難不住中國半導體。相信只要有足夠的時間，再大的困難都能一一克服。
對此，你有什麼看法呢？