快閃記憶體技術什麼意思

Ⅰ 什麼叫做快閃記憶體

快閃記憶體： 快閃記憶體是採用一種新型的EEPROM內存（電可擦可寫可編程只讀內存），具有內存可擦可寫可編程的優點，還具有寫入的數據在斷電後不會丟失的優點。所有被廣泛應用用於數碼相機，MP3，及移動存儲設備。

快閃記憶體卡：快閃記憶體卡（Flash Card）是利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。

二:快閃記憶體卡的分類

由於不同的廠家，不同的設備，使用的用途也不同，所以快閃記憶體卡分為六大類十二小類，

SD 卡

CF 卡

MMC 卡

XD 卡

SM 卡

SONY記憶棒

Minisd 卡

T-flash卡

CF Ⅰ 卡

CF Ⅱ 卡

Rsmmc卡

DVrsmmc卡

Sony mspro長棒

Sony mspro o 短棒

SD卡:

SD卡（Secure Digital Memory Card）是一種基於半導體快閃記憶器的新一代記憶設備。SD卡由日本松下、東芝及美國SanDisk公司於1999年8月共同開發研製。大小猶如一張郵票的SD記憶卡，重量只有2克，但卻擁有高記憶容量、快速數據傳輸率、極大的移動靈活性以及很好的安全性。

CF卡:

CF卡（Compact Flash）是1994年由SanDisk最先推出的。CF卡具有PCMCIA-ATA功能，並與之兼容；CF卡重量只有14g，僅紙板火柴般大小（43mm x 36m x m3.3mm），是一種固態產品，也就是工作時沒有運動部件。

MMC卡:

MMC（MultiMedia Card）卡由西門子公司和首推CF的SanDisk於1997年推出。1998年1月十四家公司聯合成立了MMC協會（MultiMedia Card Association簡稱MMCA），現在已經有超過84個成員，外形跟SD卡差不多。少了幾根針腳。

XD卡:

XD卡全稱為XD-PICTURE CARD，是由富士和奧林巴斯聯合推出的專為數碼相機使用的小型存儲卡，採用單面18針介面，是目前體積最小的存儲卡。。XD取自於「Extreme Digital」，是「極限數字」的意思。XD卡是較為新型的快閃記憶體卡，相比於其它快閃記憶體卡，它擁有眾多的優勢特點。袖珍的外形尺寸，外形尺寸為20mm×25mm×1.7mm，總體積只有0.85立方厘米，約為2克重，是目前世界上最為輕便、體積最小的數字快閃記憶體卡

SM卡:

SM（Smart Media）卡是由東芝公司在1995年11月發布的Flash Memory存貯卡，三星公司在1996年購買了生產和銷售許可，這兩家公司成為主要的SM卡廠商 SM卡的尺寸為37mm×45mm×0.76mm（圖1），由於SM卡本身沒有控制電路，而且由塑膠製成（被分成了許多薄片），因此SM卡的體積小非常輕薄

SONY記憶棒:

Sony ms(記憶棒):索尼一向獨來獨往的性格造就了記憶棒的誕生。這種口香糖型的存儲設備幾乎可以在所有的索尼影音產品上通用。記憶棒（Memory Stick）外形輕巧，並擁有全面多元化的功能。它的極高兼容性和前所未有的「通用儲存媒體」（Universal Media）概念，為未來高科技個人電腦、電視、電話、數碼照相機、攝像機和攜帶型個人視聽器材提供新一代更高速、更大容量的數字信息儲存、交換媒體。

三:快閃記憶體卡的用途

n 用於數碼相機上存儲照片

n 用於手機上存儲音樂文、文件、電影視頻

n 用於DV（數碼攝像機）上存儲視頻

n 用於GPS上用於存儲數據

n 用於工控上存儲程序軟體等

n 用於MP3、MP4、數碼錄音筆等

n 用於……

四:快閃記憶體卡的發展趨勢

由於快閃記憶體卡的諸多優點及快閃記憶體卡的應用領域,快閃記憶體卡已漸漸取代了傳統的存儲介質,成為未來存儲界的主力軍.主要體現在數碼相機及手機其它電子存儲領域.其潛力無限,市場巨大.試想一下,手機由於智能手機,3G手機的不斷推廣普及,中國的通訊事業日漸成熟,擁有智能手機,3G手機的用戶不斷增加,手機專用快閃記憶體卡的需求會越來越大.未來快閃記憶體將會統領整個電子信息存儲世界.

五：快閃記憶體卡的技術及參數

傳輸速率：一般按倍速來算。x 1x為150KB現市面上出現了很多60X、80X的高速卡， 倍速越高速度越快。

讀速度和寫速度：指對快閃記憶體的讀操作和寫操作，這個速度會根據快閃記憶體卡的控制晶元來決定是多少速的快閃記憶體卡，讀速度和寫速度都會不一樣。

控制晶元：主要提供卓越的功能，強化您的記憶卡效能。高速的傳輸速率( 傳輸速度)，優良的兼容性，讓您的儲存資料萬無一失(安全性)。

電壓：不同類型的快閃記憶體卡具有不同的規范，其所能正常工作的電壓是不同的。不過不同的快閃記憶體卡介面也各不相同，不存在插錯介面的可能。因此不會出現因插錯介面，工作電壓不同而損壞快閃記憶體卡的情況。一般的工作電壓:CF卡：3.3V/5V SD卡： 2.7-3.6V SM: 3.3V DVRSMMC: 1.8/3.3V

六:快閃記憶體卡的故障及排除

快閃記憶體卡容易出現的故障表現為:

1、存儲的某一張或數張照片打不開

2、提示某一張照片或數張照片損壞

3、提示快閃記憶體卡需要格式化

4、提示空間已滿或空間不足（實際只照幾張）

5、提示卡錯誤

6、提示找不到卡或未插入卡

7、拷入的音樂或文本打不開報錯，或者音樂文 件不能播放，文本打開全是亂碼

什麼原因造成上述現象:

1、電池電壓過低時往裡寫數據

2、未按提示直接插入或取出卡

3、正往卡里寫數據時突然掉電

4、已經沒有足夠的空間往裡硬寫數據

5、不正確的連續拍攝

6、病毒原因

7、一些未知的人為原因……

怎樣解決排除上述故障

1、由於上述不正確的操作直接導致快閃記憶體卡出現邏輯故障,快閃記憶體卡的控制晶元檢測到上述不正確的操作後為了保護卡的FLASH不受損壞快閃記憶體卡不被燒毀,快閃記憶體卡會自動加上一個邏輯鎖，這是快閃記憶體卡的自動保護功能.目的就是為了保護快閃記憶體卡。

2、被鎖住後,我們可以通過電腦接上讀卡器或直接在數碼設備上進行格式化,一般的故障可以直接排除。

3、如果格式化失敗,可以通過專業的軟體進行格式化或低級格式化處理。

4、如果病毒原因造成的,我們可以通過殺毒軟體來清除病毒而達到修復卡的目的。

5、如果有重要的數據我們可以通過專業的數據恢復軟體來進行恢復(後面講到)。

七：快閃記憶體卡使用須知

1、在使用快閃記憶體卡時，盡量避免熱插拔快閃記憶體卡。

2、在數碼設備快沒電時，或電量報警時最好不要使用快閃記憶體卡往裡寫入或讀取數據。

3、在使用快閃記憶體卡的過程中，盡量做到預留一定的空間。

4、在不支持連續拍攝的情況下（1是相機不支持，2是卡的速度跟不上）最好不要連拍。

5、盡量避免病毒的感染。

6、盡量避免在不符合規范的設備上使用快閃記憶體卡。

7、數碼快閃記憶體卡盡量做到輕拿輕放，不要用力摔、撞、捏等，容易造成其損壞；避免其接觸高溫、濕度大、強磁場、強電場的地方。

八：快閃記憶體卡的數據安全

數據安全主要涉及到為了保證數據安全的一些正確的操作

1：遇到某一張數據或數張照片打不開的時候，最好先把好的圖片保存起來，避免以後照相的時候更多的數據被破壞。

2：在提示需要格式化卡時，最好不要自己格式化或寫入讀取數據，也不要再插入相機里反復的試卡。

3：遇到病毒或其它原因時最好暫時不要亂動，以避免數據被破壞，第一時拿到專業維修點進行數據恢復。

九：手機快閃記憶體卡的使用及故障排除

1、 明確在手機上由於手機的讀卡器等一些原因，他所使用的格式與電腦上的格式存在一些差異，所以最好在手機上進行格式化，這樣格式化後，會在手機上自動生成一些特定的目錄（這根據手機的不同，目錄的名稱也不相同）

2、 不同的文件存儲在不同的目錄里，有些客戶反應MP3，電影等拷入卡里不能播放，由於手機在讀取卡時只能讀卡相應的目錄，比如播放音樂時，手機會在AUDIO或者MP3目錄里尋找視頻對應的目錄為VIDEO目錄等，當然不同的手機也有自己不同的目錄，也不是所有的手機都是按這種方式存儲的，有些手機可以人工建立目錄，而有些手機不認人工建立的目錄，這要根據手機的實際情況來看。

3、 手機在開機過程中會檢測存儲卡，會有一個過程，啟動較慢，此時千萬不要拔出存儲卡，以免造成快閃記憶體卡損壞。

4、 由於手機的格式或手機支持的文件不同，我們應針對他的數據拷入相應的文件，（比如有些手機支持MP4，而有些手機支持3GP文件格式）

5、 有些手機自身的原因不支持大容量的卡

6、 有些手機的兼容性問題，使得卡用起來很不穩定（比如諾基亞QD，使用128以上的卡顯得很不穩定。）

7、 同樣，手機電池電壓過低時也最好不要往裡寫東西或打開卡里邊的文件。

Ⅱ 什麼是快閃記憶體有什麼用

快閃記憶體的基本概念

快閃記憶體的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱為"Flash"，它也屬於內存器件的一種。不過快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異：目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存；快閃記憶體則是一種不揮發性(Non-Volatile)內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
NAND快閃記憶體的存儲單元則採用串列結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干位元組，若干頁則組成儲存塊，NAND的存儲塊大小為8到32KB），這種結構最大的優點在於容量可以做得很大，超過512MB容量的NAND產品相當普遍，NAND快閃記憶體的成本較低，有利於大規模普及。NAND快閃記憶體的缺點在於讀速度較慢，它的I/O埠只有8個，比NOR要少多了。這區區8個I/O埠只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比NOR快閃記憶體的並行傳輸模式慢得多。再加上NAND快閃記憶體的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修正，可靠性較NOR快閃記憶體要差。NAND快閃記憶體被廣泛用於移動存儲、數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等新興數字設備中。三星、東芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND快閃記憶體製造商，其中三星電子憑借價格和技術雙重優勢獲得了絕對領先的市場份額，甚至在去年第三季度超過Intel公司成為全球最大的快閃記憶體製造商。由於受到數碼設備強勁發展的帶動，NAND快閃記憶體一直呈現指數級的超高速增長，NAND可望在2006年超過NOR成為快閃記憶體技術的主導。

數碼快閃記憶體卡：主流數碼存儲介質
數碼相機、MP3播放器、掌上電腦、手機等數字設備是快閃記憶體最主要的市場。前面提到，手機領域以NOR型快閃記憶體為主、快閃記憶體晶元被直接做在內部的電路板上，但數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等設備要求存儲介質具備可更換性，這就必須制定出介面標准來實現連接，快閃記憶體卡技術應運而生。快閃記憶體卡是以快閃記憶體作為核心存儲部件，此外它還具備介面控制電路和外在的封裝，從邏輯層面來說可以和閃盤歸為一類，只是快閃記憶體卡具有更濃的專用化色彩、而閃盤則使用通行的USB介面。由於歷史原因，快閃記憶體卡技術未能形成業界統一的工業標准，許多廠商都開發出自己的快閃記憶體卡方案。目前比較常見的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick記憶棒。

CF卡（CompactFlash）
CF卡是美國SanDisk 公司於1994引入的快閃記憶體卡，可以說是最早的大容量攜帶型存儲設備。它的大小隻有43mm×36mm×3.3mm，相當於筆記本電腦的PCMCIA卡體積的四分之一。CF卡內部擁有獨立的控制器晶元、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它與設備的連接方式同PCMCIA卡的連接方式類似，只是CF卡的針腳數多達五十針。這種連接方式穩定而可靠，並不會因為頻繁插拔而影響其穩定性。
CF卡沒有任何活動的部件，不存在物理壞道之類的問題，而且擁有優秀的抗震性能， CF卡比軟盤、硬碟之類的設備要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自適應3.3伏和5伏兩種電壓，耗電量大約相當於桌面硬碟的百分之五。這樣的特性是出類拔萃的，CF卡出現之後便成為數碼相機的首選存儲設備。經過多年的發展，CF卡技術已經非常成熟，容量從最初的4MB飆升到如今的3GB，價格也越來越平實，受到各數碼相機製造商的普遍喜愛，CF卡目前在數碼相機存儲卡領域的市場佔有率排在第二位。

MMC卡 (MultiMediaCard)
MMC卡是SanDisk公司和德國西門子公司於1997年合作推出的新型存儲卡，它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚郵票差不多；其重量也多在2克以下，並且具有耐沖擊、可反復讀寫30萬次以上等特點。從本質上看，MMC與CF其實屬於同一技術體系，兩者結構都包括快快閃記憶體晶元和控制器晶元，功能也完全一樣，只是MMC卡的尺寸超小，而連接器也必須做在狹小的卡裡面，導致生產難度和製造成本都很高、價格較為昂貴。MMC主要應用與行動電話和MP3播放器等體積小的設備，而由於體積限制，MMC卡的容量提升較為困難，目前MMC產品以128M容量為主，256MB、512MB主要供應給數碼發燒友及特殊用戶使用。MMC4.0標準的極速1-2GB MMC存儲卡問世，新標準的MMC多媒體存儲卡讀取速度最高達到了150倍速（22.5MB/S），而寫入速度也達到了驚人的120倍速（18MB/S）。MMC4.0標准同樣和原有的MMC存儲卡及SD存儲卡插槽兼容，可廣泛使用在手機、數碼相機、掌上電腦、其他移動數字設備等。MMC4.0標准由MMCA多媒體存儲卡協會在MMC3.2標準的基礎上推出的。

SD卡（Secure Digital）
SD卡的英文全稱是Secure Digital Card，意為安全數碼卡，它由日本松下公司、東芝公司和美國SanDisk公司共同研製。SD卡仍屬於MMC標准體系，SD比MMC卡多了一個進行數字版權保護的暗號認證功能（SDMI規格），故而得名。
SD卡的尺寸為32mm×24mm×2.1mm，面積與MMC卡相同、只是略厚一些而已。但SD卡的容量比MMC卡高出甚多，SanDisk和松下公司都已推出容量高達1GB的SD卡。不過當前的主流還是64M、128M和256M容量，512MB以上的產品還相當昂貴。讀寫速度快是SD卡的另一個優點，它的最高讀寫速度已突破20MB/s、幾乎達到快閃記憶體讀寫速度的極限。此外，SD卡還保持對MMC卡的兼容，支持SD卡的插口大多數都可以支持MMC卡。更重要的是，SD卡比MMC卡易於製造，在成本上有不少優勢，SD卡得到了廣泛應用，在MP3播放器、行動電話、數碼相機、掌上電腦及攜帶型攝像機，目前SD卡介面支持者除了東芝、松下和SanDisk外，還包括卡西歐、惠普、摩托羅拉、NEC、先鋒和Palm等公司。

SM卡（SmartMedia）與xD卡
SM卡被稱為"智能型媒體卡"，尺寸為37mm×45mm×0.76mm， SM卡的功能較為單一，用戶必須使用配有讀寫及控制功能的專用設備才能對其操作，SM卡規范的升級變化比較大。

Ⅲ 什麼是快閃記憶體

快閃記憶體就是Flash Rom，第一個單詞是閃爍，閃的意思，所以就叫快閃記憶體了，就是一種存儲晶元，像優盤和手機SD擴展卡都是快閃記憶體的性質，都可以叫快閃記憶體卡

Ⅳ 快閃記憶體是什麼概念

快閃記憶體的基本概念

快閃記憶體的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱為"Flash"，它也屬於內存器件的一種。不過快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異：目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存；快閃記憶體則是一種不揮發性(Non-Volatile)內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
NAND快閃記憶體的存儲單元則採用串列結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干位元組，若干頁則組成儲存塊，NAND的存儲塊大小為8到32KB），這種結構最大的優點在於容量可以做得很大，超過512MB容量的NAND產品相當普遍，NAND快閃記憶體的成本較低，有利於大規模普及。NAND快閃記憶體的缺點在於讀速度較慢，它的I/O埠只有8個，比NOR要少多了。這區區8個I/O埠只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比NOR快閃記憶體的並行傳輸模式慢得多。再加上NAND快閃記憶體的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修正，可靠性較NOR快閃記憶體要差。NAND快閃記憶體被廣泛用於移動存儲、數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等新興數字設備中。三星、東芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND快閃記憶體製造商，其中三星電子憑借價格和技術雙重優勢獲得了絕對領先的市場份額，甚至在去年第三季度超過Intel公司成為全球最大的快閃記憶體製造商。由於受到數碼設備強勁發展的帶動，NAND快閃記憶體一直呈現指數級的超高速增長，NAND可望在2006年超過NOR成為快閃記憶體技術的主導。

數碼快閃記憶體卡：主流數碼存儲介質
數碼相機、MP3播放器、掌上電腦、手機等數字設備是快閃記憶體最主要的市場。前面提到，手機領域以NOR型快閃記憶體為主、快閃記憶體晶元被直接做在內部的電路板上，但數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等設備要求存儲介質具備可更換性，這就必須制定出介面標准來實現連接，快閃記憶體卡技術應運而生。快閃記憶體卡是以快閃記憶體作為核心存儲部件，此外它還具備介面控制電路和外在的封裝，從邏輯層面來說可以和閃盤歸為一類，只是快閃記憶體卡具有更濃的專用化色彩、而閃盤則使用通行的USB介面。由於歷史原因，快閃記憶體卡技術未能形成業界統一的工業標准，許多廠商都開發出自己的快閃記憶體卡方案。目前比較常見的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick記憶棒。

CF卡（CompactFlash）
CF卡是美國SanDisk 公司於1994引入的快閃記憶體卡，可以說是最早的大容量攜帶型存儲設備。它的大小隻有43mm×36mm×3.3mm，相當於筆記本電腦的PCMCIA卡體積的四分之一。CF卡內部擁有獨立的控制器晶元、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它與設備的連接方式同PCMCIA卡的連接方式類似，只是CF卡的針腳數多達五十針。這種連接方式穩定而可靠，並不會因為頻繁插拔而影響其穩定性。
CF卡沒有任何活動的部件，不存在物理壞道之類的問題，而且擁有優秀的抗震性能， CF卡比軟盤、硬碟之類的設備要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自適應3.3伏和5伏兩種電壓，耗電量大約相當於桌面硬碟的百分之五。這樣的特性是出類拔萃的，CF卡出現之後便成為數碼相機的首選存儲設備。經過多年的發展，CF卡技術已經非常成熟，容量從最初的4MB飆升到如今的3GB，價格也越來越平實，受到各數碼相機製造商的普遍喜愛，CF卡目前在數碼相機存儲卡領域的市場佔有率排在第二位。

MMC卡 (MultiMediaCard)
MMC卡是SanDisk公司和德國西門子公司於1997年合作推出的新型存儲卡，它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚郵票差不多；其重量也多在2克以下，並且具有耐沖擊、可反復讀寫30萬次以上等特點。從本質上看，MMC與CF其實屬於同一技術體系，兩者結構都包括快快閃記憶體晶元和控制器晶元，功能也完全一樣，只是MMC卡的尺寸超小，而連接器也必須做在狹小的卡裡面，導致生產難度和製造成本都很高、價格較為昂貴。MMC主要應用與行動電話和MP3播放器等體積小的設備，而由於體積限制，MMC卡的容量提升較為困難，目前MMC產品以128M容量為主，256MB、512MB主要供應給數碼發燒友及特殊用戶使用。MMC4.0標準的極速1-2GB MMC存儲卡問世，新標準的MMC多媒體存儲卡讀取速度最高達到了150倍速（22.5MB/S），而寫入速度也達到了驚人的120倍速（18MB/S）。MMC4.0標准同樣和原有的MMC存儲卡及SD存儲卡插槽兼容，可廣泛使用在手機、數碼相機、掌上電腦、其他移動數字設備等。MMC4.0標准由MMCA多媒體存儲卡協會在MMC3.2標準的基礎上推出的。

SD卡（Secure Digital）
SD卡的英文全稱是Secure Digital Card，意為安全數碼卡，它由日本松下公司、東芝公司和美國SanDisk公司共同研製。SD卡仍屬於MMC標准體系，SD比MMC卡多了一個進行數字版權保護的暗號認證功能（SDMI規格），故而得名。
SD卡的尺寸為32mm×24mm×2.1mm，面積與MMC卡相同、只是略厚一些而已。但SD卡的容量比MMC卡高出甚多，SanDisk和松下公司都已推出容量高達1GB的SD卡。不過當前的主流還是64M、128M和256M容量，512MB以上的產品還相當昂貴。讀寫速度快是SD卡的另一個優點，它的最高讀寫速度已突破20MB/s、幾乎達到快閃記憶體讀寫速度的極限。此外，SD卡還保持對MMC卡的兼容，支持SD卡的插口大多數都可以支持MMC卡。更重要的是，SD卡比MMC卡易於製造，在成本上有不少優勢，SD卡得到了廣泛應用，在MP3播放器、行動電話、數碼相機、掌上電腦及攜帶型攝像機，目前SD卡介面支持者除了東芝、松下和SanDisk外，還包括卡西歐、惠普、摩托羅拉、NEC、先鋒和Palm等公司。

SM卡（SmartMedia）與xD卡
SM卡被稱為"智能型媒體卡"，尺寸為37mm×45mm×0.76mm， SM卡的功能較為單一，用戶必須使用配有讀寫及控制功能的專用設備才能對其操作，SM卡規范的升級變化比較大。

Ⅳ 快閃記憶體是什麼意思

快閃記憶體就是Flash Memory，斷電也可以保存數據，相當於一組晶元，硬碟就相當於我們目前在用的電腦上的盤了。
快閃記憶體存取比較快速，無噪音，散熱小。你買的話其實可以不考慮那麼多，同樣存儲空間買快閃記憶體。如果硬碟空間大就買硬碟，也可以滿足你應用的需求。
快閃記憶體卡（Flash Card）是利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。

Ⅵ 快閃記憶體是什麼意思有什麼特點

快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與快閃記憶體不同的是，它能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，這樣快閃記憶體就比EEPROM的更新速度快。由於其斷電時仍能保存數據，快閃記憶體通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。另一方面，快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
快閃記憶體卡（Flash Card）是利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。

NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。
這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用 USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。
前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟(其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性)，它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。
快閃記憶體存取比較快速，無噪音，散熱小。你買的話其實可以不考慮那麼多，同樣存儲空間買快閃記憶體。如果硬碟空間大就買硬碟，也可以滿足你應用的需求。

Ⅶ 快閃記憶體什麼意思

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快閃記憶體
開放分類： 硬體、電腦、計算機、集成電路、存儲器

目錄
• 【快閃記憶體的概念】
• 【技術及特點】
• 【快閃記憶體的分類】
• 【NAND型快閃記憶體】
• 【應用及前景】
• 【與硬碟區別】
• 【快閃記憶體發展過程】

【快閃記憶體的概念】
快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與快閃記憶體不同的是，它能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，這樣快閃記憶體就比EEPROM的更新速度快。由於其斷電時仍能保存數據，快閃記憶體通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。另一方面，快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。

快閃記憶體卡（Flash Card）是利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。

【技術及特點】
NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。

這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。

前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟(其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性)，它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。

快閃記憶體存取比較快速，無噪音，散熱小。你買的話其實可以不考慮那麼多，同樣存儲空間買快閃記憶體。如果硬碟空間大就買硬碟，也可以滿足你應用的需求。

【快閃記憶體的分類】
·目前市場上常見的存儲按種類可分：
U盤
CF卡
SM卡
SD/MMC卡
記憶棒
·國內市場常見的品牌有：
金士頓、索尼、晟碟、Kingmax、鷹泰、創見。

【NAND型快閃記憶體】
內存和NOR型快閃記憶體的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型快閃記憶體的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組）。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於數據存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗信息，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到「（512+16）Byte」的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是（512+16）位元組的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到（2048+64）位元組。

NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。

每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條數據線每次傳輸（512+16）bit信息，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本數據單位是（256+8）×16bit，還是512位元組。

定址時，NAND型快閃記憶體通過8條I/O介面數據線傳輸地址信息包，每包傳送8位地址信息。由於快閃記憶體晶元容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鍾周期。NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要佔用更多的時鍾周期傳輸，因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址周期比其他存儲介質長，因此NAND型快閃記憶體比其他存儲介質更不適合大量的小容量讀寫請求。

決定NAND型快閃記憶體的因素有哪些？
1．頁數量

前面已經提到，越大容量快閃記憶體的頁越多、頁越大，定址時間越長。但這個時間的延長不是線性關系，而是一個一個的台階變化的。譬如128、256Mb的晶元需要3個周期傳送地址信號，512Mb、1Gb的需要4個周期，而2、4Gb的需要5個周期。

2．頁容量

每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量快閃記憶體（4Gb）提高了頁的容量，從512位元組提高到2KB。頁容量的提高不但易於提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512位元組頁容量，隨機讀（穩定）時間12μs，寫時間為200μs；後者為4Gb，2KB頁容量，隨機讀(穩定)時間25μs，寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。

讀取性能：NAND型快閃記憶體的讀取步驟分為：發送命令和定址信息→將數據傳向頁面寄存器(隨機讀穩定時間)→數據傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次)。

K9K1G08U0M讀一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率：512位元組÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷131.1μs=15.6MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組也容量約提高讀性能20%。

寫入性能：NAND型快閃記憶體的寫步驟分為：發送定址信息→將數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面將其和定址周期合並，但這兩個部分並非連續的。

K9K1G08U0M寫一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率：512位元組÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率：2112位元組/405.9μs=5MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組頁容量提高寫性能兩倍以上。

3．塊容量

塊是擦除操作的基本單位，由於每個塊的擦除時間幾乎相同（擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息佔用的時間可以忽略不計），塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型快閃記憶體的頁容量提高，而每個塊的頁數量也有所提高，一般4Gb晶元的塊容量為2KB×64個頁=128KB，1Gb晶元的為512位元組×32個頁=16KB。可以看出，在相同時間之內，前者的擦速度為後者8倍！

4．I/O位寬

以往NAND型快閃記憶體的數據線一般為8條，不過從256Mb產品開始，就有16條數據線的產品出現了。但由於控制器等方面的原因，x16晶元實際應用的相對比較少，但將來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的晶元在傳送數據和地址信息時仍採用8位一組，佔用的周期也不變，但傳送數據時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16晶元，它每頁仍為2KB，但結構為（1K+32）×16bit。

模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率：2KB位元組÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到，相同容量的晶元，將數據線增加到16條後，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。

5．頻率

工作頻率的影響很容易理解。NAND型快閃記憶體的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達到40MHz，則K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當然，上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產品線中，可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率目前可達33MHz。

6．製造工藝

製造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間，它們在我們的計算當中佔去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的製造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！目前的實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢，否則4Gb晶元的性能提升更加明顯。

綜合來看，大容量的NAND型快閃記憶體晶元雖然定址、操作時間會略長，但隨著頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的晶元符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由於命令、地址信息佔用操作周期，以及一些固定操作時間（如信號穩定時間等）等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。

1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K）Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits

其中：A0～11對頁內進行定址，可以被理解為「列地址」。

A12～29對頁進行定址，可以被理解為「行地址」。為了方便，「列地址」和「行地址」分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若干數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型快閃記憶體所謂的「行地址」和「列地址」不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對方便的表達方式而已。為了便於理解，我們可以將上面三維的NAND型快閃記憶體晶元架構圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的「行」、「列」概念就比較直觀了。

【應用及前景】
「優盤」是快閃記憶體走進日常生活的最明顯寫照，其實早在U盤之前，快閃記憶體已經出現在許多電子產品之中。傳統的存儲數據方式是採用RAM的易失存儲，電池沒電了數據就會丟失。採用快閃記憶體的產品，克服了這一毛病，使得數據存儲更為可靠。除了快閃記憶體檔，快閃記憶體還被應用在計算機中的BIOS、PDA、數碼相機、錄音筆、手機、數字電視、游戲機等電子產品中。

追溯到1998年，優盤進入市場。介面由USB1.0發展到2.0，速度逐漸提高。U盤的盛行還間接促進了USB介面的推廣。為什麼U盤這么受到人們歡迎呢？

快閃記憶體檔可用來在電腦之間交換數據。從容量上講，快閃記憶體檔的容量從16MB到2GB可選，突破了軟碟機1.44MB的局限性。從讀寫速度上講，快閃記憶體檔採用USB介面，讀寫速度比軟盤高許多。從穩定性上講，快閃記憶體檔沒有機械讀寫裝置，避免了移動硬碟容易碰傷、跌落等原因造成的損壞。部分款式快閃記憶體檔具有加密等功能，令用戶使用更具個性化。快閃記憶體檔外形小巧，更易於攜帶。且採用支持熱插拔的USB介面，使用非常方便。

目前，快閃記憶體正朝大容量、低功耗、低成本的方向發展。與傳統硬碟相比，快閃記憶體的讀寫速度高、功耗較低，目前市場上已經出現了快閃記憶體硬碟。隨著製造工藝的提高、成本的降低，快閃記憶體將更多地出現在日常生活之中。

【與硬碟區別】
如果單從儲存介質上來說 ，快閃記憶體比硬碟好 。但並不是音質上的好，是指數據傳輸的速度還有抗震度來說（快閃記憶體不存在抗震） 。要對比兩者之間的優劣並不難， 首先理解什麼是數碼，知道什麼是數碼信號之後就該清楚數碼信號通常是不受儲存介質干擾的。（忽略音頻流文件的誤碼，硬碟和快閃記憶體在這個方面可以忽略，光碟不同。） 硬碟和快閃記憶體的數據准確性都很高 ，在同樣的測試條件下（相同解碼相同輸出），兩者音質肯定是一樣的 。對於隨身聽來說，贊同快閃記憶體式。
優點：
1.快閃記憶體的隨身聽小。並不是說快閃記憶體的集成度就一定會高。微硬碟做的這么大一塊主要原因就是微硬碟不能做的小過快閃記憶體，並不代表微硬碟的集成度就不高。再說，集成度高並不能代表音質一定下降。MD就是一個例子。
2.相對於硬碟來說快閃記憶體結構不怕震，更抗摔。硬碟最怕的就是強烈震動。雖然我們使用的時候可以很小心，但老虎也有打盹的時候，不怕一萬就怕萬一。
3.快閃記憶體可以提供更快的數據讀取速度，硬碟則受到轉速的限制 。
4.質量輕。

【快閃記憶體發展過程】

·快閃記憶體的發展歷史
在1984年，東芝公司的發明人Fujio Masuoka 首先提出了快速快閃記憶體存儲器(此處簡稱快閃記憶體)的概念。與傳統電腦內存不同，快閃記憶體的特點是非易失性(也就是所存儲的數據在主機掉電後不會丟失)，其記錄速度也非常快。
Intel是世界上第一個生產快閃記憶體並將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256K bit快閃記憶體晶元。它如同鞋盒一樣大小，並被內嵌於一個錄音機里。後來，Intel發明的這類快閃記憶體被統稱為NOR快閃記憶體。它結合EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)兩項技術，並擁有一個SRAM介面。
第二種快閃記憶體稱為NAND快閃記憶體。它由日立公司於1989年研製，並被認為是NOR快閃記憶體的理想替代者。NAND快閃記憶體的寫周期比NOR快閃記憶體短十倍，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。NAND的存儲單元只有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND獲得了更好的性能。鑒於NAND出色的表現，它常常被應用於諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。

·快閃記憶體的市場現狀分析
目前的快閃記憶體市場仍屬於群雄爭霸的末成熟時期。三星、日立、Spansion和Intel是這個市場的四大生產商。

由於戰略上的一些錯誤，Intel在第一次讓出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。

AMD快閃記憶體業務部門Spansion同時生產NAND和NOR快閃記憶體。它上半年的NOR快閃記憶體產量幾乎與Intel持平，成為NOR快閃記憶體的最大製造商。該公司在上半年贏利為13億美元，幾乎是它整個公司利潤額(25億美元)的一半以上。

總體而言，Intel和AMD在上半年成績喜人，但三星和日立卻遭受挫折。
據市場調研公司iSuppli所做的估計，今年全球的快閃記憶體收益將達到166億美元，比2003年(116.4億美元)上漲46%。消息者對數碼相機、USB sticks和壓縮式MP3播放器內存的需求將極大推動快閃記憶體的銷售。據預測，2005年快閃記憶體的銷售額將達到175億美元。不過，iSuppli估計，2005年至2008年快閃記憶體的利潤增漲將有所回落，最高將達224億美元。

·新的替代品是否可能？
與許多壽命短小的信息技術相比，快閃記憶體以其16年的發展歷程，充分顯示了其「老前輩」的作風。九十年代初，快閃記憶體才初入市場；至2000年，利益額已突破十億美元。英飛凌科技快閃記憶體部門主任，彼得曾說：「就快閃記憶體的生命周期而言，我們仍處於一個上升的階段。」英飛凌相信，快閃記憶體的銷售仍具有上升空間，並在醞釀加入對該市場的投入。英飛凌在今年初宣布，其位於德累斯頓的200毫米DRAM工廠已經開始生產512Mb NAND兼容快閃記憶體晶元。到2004年底，英飛凌公司計劃採用170納米製造工藝，每月製造超過10,000片晶圓。而2007年，該公司更希望在NAND市場成為前三甲。

此外，Intel技術與製造集團副總載Stefan Lai認為，在2008年之前，快閃記憶體將不可替代。2006年，Intel將首先採用65納米技術；到2008年，目前正在研發的新一代45納米技術將有望投放市場。Stefan Lai覺得，目前的預測仍然比較淺顯，或許32納米、22納米技術完全有可能實現。但Stefan Lai也承認，2008年至2010年，新的技術可能會取而代之。
盡管對快閃記憶體替代品的討論越來越激勵，快閃記憶體仍然受到市場的重視。未來的替代品不僅必須是類似快閃記憶體一樣的非易失性存儲器，而且在速度和寫周期上略勝一籌。此外，生產成本也應該相對低廉。由於現在製造技術還不成熟，新的替代品不會對快閃記憶體構成絕對的威脅。下面就讓我們來認識一下幾種可能的替代產品：

·Nanocrystals(納米晶體)
摩托羅拉的半導體部門Freescale正在研製一種增加快閃記憶體生命周期的產品。這種產品以硅納米晶體(Silicon Nanocrystals)為介質，用硅原子柵格代替了半導體內部的固態層。納米晶體不是一個全新的存儲技術。它只是對快閃記憶體的一種改進，使它更易擴展。它的生產成本可以比原來低大約10-15%，生產過程更加簡單。它的性能與可靠性都能夠與目前的快閃記憶體相媲美。

摩托羅拉花了十年時間研發這種技術，並打算大規模生產此類產品。去年六月，該公司已經成功地使用此技術推出了一款此類晶元。硅納米晶體晶元預計會在2006年全面投放市場。
→更多相關內容請參見納米晶體

·MRAM(Magnetic RAM磁荷隨機存儲器)
MRAM磁荷隨機存儲器是由英飛凌與Freescale兩家公司研發的一種利用磁荷來儲存數據的存介質。MRAM的寫次數很高，訪問速度也比快閃記憶體大大增強。根據計算，寫MRAM晶元上1bit的時間要比寫快閃記憶體的時間短一百萬倍。

·磁荷隨機存儲器
兩家公司都認為，MRAM不僅將是快閃記憶體的理想替代品，也是DRAM與SRAM的強有力競爭者。今年六月，英飛凌已將自己的第一款產品投放市場。與此同時，Freescale也正在加緊研發，力爭在明年推出4M bit晶元。

但是，一些評論者擔心MRAM是否能達到快閃記憶體存儲單元的尺寸。根據英飛凌的報告，目前快閃記憶體存儲單元的尺寸為0.1µm²，而16M bit MRAM晶元僅達到1.42 µm²。另外，MRAM的生產成本也是個不小的問題。
更多相關內容請參見磁荷隨機存儲器。

·OUM(Ovonic Unified Memory Ovonyx標准化內存)
OUM是由Intel研發的，利用Ge、Sb與Te等化合物為材料製成的薄膜。OUM。OUM的寫、刪除和讀的功能與CD-RW與DVD-RW相似。但CD/DVD使用激光來加熱和改變稱為硫系化合物(chalcogenides)的材料；而OUM則通過電晶體控制電源，使其產生相變方式來儲存資料。

OUM的擦寫次數為10的12次方，100次數據訪問時間平均為200納秒。OUM的速度比快閃記憶體要快。盡管OUM比MRAM的數據訪問時間要慢，但是低廉的成本卻是OUM的致勝法寶。

與MRAM不同，OUM的發展仍處於初期。盡管已製成測試晶元，它們僅僅能用來確認概念而不是說明該技術的可行性。Intel在過去四年一直致力於OUM的研發，並正在努力擴大該市場。
更多相關內容請參見OUM 。

·總結
除了上文提到的MRAM和OUM，其它可替代的產品還有MRAM (FeRAM)、 Polymer memory (PFRAM)、 PCRAM、 Conctive Bridge RAM (CBRAM)、 Organic RAM (ORAM)以及最近的Nanotube RAM (NRAM)。目前替代快閃記憶體的產品有許多，但是哪條路能夠成功，以及何時成功仍然值得懷疑。

對大多數公司而言，快閃記憶體仍是一個理想的投資。不少公司已決定加大對快閃記憶體的投資額。此外，據估計，到2004年，快閃記憶體總產值將與DRAM並駕齊驅，到2006年將超越DRAM產品。因為，在期待新一代產品的同時，我們也不應該忽視目前已有的市場。

Ⅷ 內存和硬碟有什麼區別快閃記憶體是什麼意思

硬碟和內存都是硬體中的存儲設備，硬碟是外部存儲器（簡稱外存），內存是內部存儲器（簡稱內存）。他們都是用來存放數據和程序的。
快閃記憶體是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因為快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
快閃記憶體卡（Flash
Card）是利用快閃記憶體（Flash
Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact
Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure
Digital（SD卡）、Memory
Stick（記憶棒）、XD-Picture
Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。

Ⅸ 什麼叫快閃記憶體

手機快閃記憶體： 快閃記憶體是採用一種新型內存(換句話說就是一種內存格式的一種)。快閃記憶體有許多種類型，從結構上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最為常見的類型。

快閃記憶體即內置內存卡，你說的那種情況，快閃記憶體裡面的東西仍然會在。

拓展資料：

手機快閃記憶體對手機的重要性

在智能手機充斥市場的今天，智能手機的內置存儲器的容量、速度以及智能手機的壽命和可靠性都會對我們日常對手機進行使用的體驗構成重要的影響，而快閃記憶體恰恰是一種能夠直接的決定我們對手機進行使用時的體驗的重要因素。手機的快閃記憶體能夠最直接的關繫到我們日常使用手機時運行的流暢性，比如說在市面上一些價格比較低但聽上去配置也很高的手機在運行起來就是不如高價格的手機流暢，便是快閃記憶體在作怪的原因哦。