『壹』 在華為手機里如何關閉支付寶的「讀取存儲卡中內容」，以及「修改刪除存儲卡中內容」這兩項許可權
禁止訪問存儲卡：設置-應用-許可權管理-支付寶-存儲-禁止
修改刪除存儲卡中內容：簡單粗暴的做法就是卸載支付寶的時候清除所有設置信息或記錄；其它方法一般情況下是無法修改或刪除這些內容的。
注意：即使卸載支付寶，只是你手機里的記錄被刪除了，你在支付寶的所有操作記錄，在馬雲的伺服器里還是存在並能隨時查詢追蹤的，so，你的想法可能要化為泡影啦......
訴訟就不要想了，人家平台都有合法協議，在你使用之前都讓你閱讀並確認過的，打官司是肯定沒有勝算的。
現在市場上的軟體行行總總，五花八門，幾乎都會要求注冊認證之類的，所以你一個的信息對他們來說並不值錢，人家要的是大數據，只有量做大了，才會產生財富。so，你只是天上的那一顆並不耀眼的小星星......
『貳』 修改硬碟信息
某樓的人說我說得不對，那麼重看吧，硬碟號有2種：
第一種：硬碟序列號，包含了廠商、型號、容量
例1：WD2500JB-00EVAO(西部數據)
例2：ST3160023AS(西捷酷魚)
參考資料：http://..com/question/36225691.html?si=1
修改它的軟體有：「PC3000」，在disc ID菜單中更改。
軟體下載：http://www.onlinedown.net/soft/29459.htm
現在市面上有不少所謂破解版的pc3000，就是不需要卡的那種。 但是經過多次測試，效果非常不理想，經常出現把硬碟修報廢的情況。 現在市面上還有一種也是破解版的pc3000，不過這種是帶卡帶加密狗的，這樣的可以考慮購買。1000元左右。
目前最好的修硬碟的軟體也就是pc3000了，其它的也都是貴的離譜。
http://www.fixdisk.net/Html/Pc3KFile/063251354281505462.htm
http://..com/question/27308950.html?si=4&wtp=wk
第二種：(分區)卷的序列號，每格式化1次就變一次，●軟體都是調用這個作為注冊依據的。
例：驅動器 F 中的卷是 備份 卷的序列號是 C250-B732
磁碟序列號，簡稱磁碟ID，是對磁碟進行格式化時隨機產生的磁碟標識信息，是一個卷序列號。同一機器兩次格式化隨機產生固定格式的序列號相同幾率幾乎為零，即如果重新分區，磁碟序列號將會隨之改變。DOS的後期版本和WINDOWS、WINNT均採用了這種磁碟標識方式，因而磁碟序列號常被運用用於商業化軟體進行加密使用。從WINDOWS9.X切換到MS-DOS方式，鍵入DIR命令後回車，屏幕出現當前卷標序列號信息，這個類似"0A48-1CD7"的序列號是一個16進制數。一些限期使用的軟體，在使用期限到了之後，會要求使用者在線申請新的授權序列號（使用許可）。這種授權序列號相當一部分是採用了靜態磁碟序列號結合時間產生的。安裝完畢之後的軟體，程序即使被非法拷貝到非初始安裝環境中，也不能使用。
硬碟的號碼有時候是需要改變的，這是因為有些軟體的許可證號碼是和硬碟號碼有關系的。
更改硬碟號的步驟：
（1）一般需要使用windows啟動盤啟動計算機。
（2）使用VOL命令，查看欲修改的硬碟序列號碼，並用筆記錄。 例如： 該硬碟號碼為0B3214E7
（2）啟動Debug (一條DOS命令，調試工具)
（3）使用L命令將硬碟中存放硬碟序列號放入開始地址為100的內存中。 命令格式 L 內存開始地址 驅動器代碼 開始扇區 扇區數 其中：內存開始地址 一般為100 驅動器代碼 A盤------0 B盤------1 C盤------2 D盤------3 開始扇區 磁碟序列號放在0扇區 扇區數 取一個扇區就可以 例： L 100 2 0 1 表示將C盤的第0扇區放入開始地址為100的內存中
（4）使用D命令觀察內存內容 命令格式：D 〔地址〕 例： D 100 表示將內存地址為100的內容顯示到屏幕上
(5) 在屏幕上找硬碟序列號，將記錄的硬碟號碼與顯示的內容相比較，找硬碟號的地址 例如，硬碟號碼是0B3214E7, 經過比較，可知硬碟序列號的地址是143，144，145和146 注意：各個計算機的硬碟號碼所在地址不同，都需要通過比較的方法尋找 找到後，可以輸入命令：D 143 以確定號碼地址的正確性。
(5) 修改硬碟號碼，將修改的硬碟號碼寫入內存。 命令格式：E 地址 內容 其中： 地址 為欲修改內存的地址 內容 為修改後的內容，在這里是硬碟號碼 ，如果要將硬碟號碼修改為22e75628 則輸入： E 143 28 E 144 56 E 145 e7 E 146 22
（6）使用寫入命令將內存中內容寫入硬碟 命令格式： W 內存開始地址 驅動器代碼 開始扇區 扇區數 其中，內存開始地址、驅動器代碼、開始扇區、扇區數，應該和L命令的參數一致，這一點非常重要，否則硬碟就不能使用了。
（7）使用Q命令退出DEBUG,啟動計算機後，再用VOL命令檢查硬碟序列號，可以觀察到硬碟號已經變了。
還可以用某些軟體改
www.mydrivers.com上可能有
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補充：硬碟序列號存在Firmware中，在windows下無法讀取，必須在DOS實模式中用工具才能查看。
分區序列號可以在windows中讀取，可以用匯編或調用API函數編程看到。
『叄』 我想問一下，C++中的文件操作如何修改信息啊 例如我想修改的5行的信息，怎麼改啊，謝謝
可以一行一行的讀到內存中，讀到第五行的信息，修改然後保存到文件中。需要注意的是這時文件操作位置在第六行的開始位置，需要跳回到第五行開始處，否則會覆蓋第六行及以後的數據；而第六行及第六行以後的數據需要在寫入前先讀出來，寫入修改後的第五行數據後再寫回去。
如果修改數等長的話，建議使用內存映射函數系列windows API函數，這樣可以避免處理第六行及以後的數據，會簡單很多，尤其是大文件的時候。
『肆』 如何讀取flash中的內容
flash是存儲晶元的一種，通過特定的程序可以修改裡面的數據。FLASH在電子以及半導體領域內往往表示Flash Memory的意思，即平時所說的「快閃記憶體」，全名叫Flash EEPROM Memory。
Flash存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），使數據不會因為斷電而丟失。U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼，或者直接當硬碟使用（U盤）。
目前Flash主要有兩種NORFlash和NANDFlash。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NORFLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。NANDFlash沒有採取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NANDFlash上的代碼，因此好多使用NANDFlash的開發板除了使用NANDFlash以外，還加上了一塊小的NORFlash來運行啟動代碼。
一般小容量的用NORFlash，因為其讀取速度快，多用來存儲操作系統等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常見的NANDFLASH應用是嵌入式系統採用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的「閃盤」，可以在線擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生產NANDFlash的主要廠家有Samsung，Toshiba，Micron和Hynix。
片內flash還是片外flash，spi介面還是其他的介面。ARM片子不一樣，答案就不一樣。根據flash手冊，按照手冊寫驅動。
『伍』 nand flash的oob能不能隨意修改
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕松升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。 相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。 NOR的特點是晶元內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。 NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。 性能比較 flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。 由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。 執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。 ● NOR的讀速度比NAND稍快一些。 ● NAND的寫入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。 ● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。 ● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。 介面差別 NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。 NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。 NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。 容量和成本 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。 NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。 可*性和耐用性 採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可*性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可*性。 壽命(耐用性) 在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。 位交換 所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。 一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。 當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用EDC/ECC演算法。 這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可*性。 壞塊處理 NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。 NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可*的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。 易於使用 可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。 由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。 在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。 軟體支持 當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。 在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。 使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。 驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。 與非門的FLASH是相對或非門的FLASH而言 兩者除了在設計上採用了NAND和NOR實現這個主要區別外，有如下主要區別： 1。匯流排介面上，NOR的介面類型一般的匯流排介面，與SRAM器件相似。NAND則是IO介面，需要另外邏輯才能作為MEMORY (當然是廠家做好了的) 2。NOR的器件支持隨機訪問，而NAND的只支持順序訪問。因此NAND一般用在大規模存貯，而NOR的用於存程序代碼， 直接運行程序。而NAND放程序時，要先LOAD到RAM中再跑 3。NOR的每個CELL占更大的面積，NAND的小多了，因此同樣容量的價格NAND的低很多
麻煩採納，謝謝!
『陸』 ROM是只讀存儲，手機的ROM可以相當於電腦的硬碟嗎該怎麼能修改裡面的信息
手機 存儲使用的是EPROM，即可多次編程的只讀存儲器，可以利用紫外線或者電擦除信息，我們所說的只能讀不能寫的概念還停留在掩膜ROM，利用的是二次光刻製成，一旦制出成品後，只能讀取，不能修改，例如小孩子的玩具一類的，音樂賀卡之類的批量大的定型產品，都只能播放相同的音樂。