mos測試開路用哪個數據

⑴ 蘋果測試儀顯示MOS管開路或未插好,輸出短路保護是什麼意思

MOS管在蘋果測試儀中作電源開關調整管使用。是穩壓電源關鍵元件。一但出現開路或未插好，電源部分輸出電壓就會大幅度升高，過壓保護電路檢測到後動作，使電源輸出為零或很低的電壓。

⑵ 如何利用萬用表測量線路的短路、開路、斷路

用歐姆x1檔，測線路二端，如阻值近於零就是短路，如有一定量的阻值（根據線路中的負載而定），就並非短路，在電壓一定時，阻值越小，流過線路的電流越大。用歐姆1k檔或10k檔，測線路二端，如果阻值無窮大就是開路

⑶ 晶體管圖示儀用來測試mos管的時候，所有的參數都能從圖上面度出來么

用圖示儀來測量器件參數的誤差相對比較大，就像你所說的那樣，從顯示屏上數格數得來的，同時由於圖形顯示線比較粗，讀數精度遠不如用尺子測量長度來得精確，但用於粗略的測量也是沒有問題的，如果儀器校正好的話，用圖示儀來測量滿刻度誤差也能保證在2%以下。圖示儀的最大好處是有非常直觀的圖形。
至於你所說的測量出的參數與規格書有很大的差異，這一點需要弄清的是規格書上的參數大都是一個界限，並不是一個具體的參數值，只要測到的參數在規格書上的界限范圍之內都是正常的。

⑷ mos管測試項目igss、BVDSS\ IDSS RDS(ON) DVDS EAS VF 分別代表什麼意思求詳細的解釋 謝謝專家了 ！

igss:柵源漏電
BVDSS：漏源電壓
IDSS：漏源漏電
RDS(ON)：導通電阻
DVDS：漏源接觸
EAS：能量測試
VF：正向壓降

⑸ MOS管到底怎麼測

對於一隻型號標示不清或無標志的三極體，要想分辨出它們的三個電極，也可用萬用表測試。先將萬用表量程開關撥在R×100或R×1k電阻擋上。紅表筆任意接觸三極體的一個電極，黑表筆依次接觸另外兩個電極，分別測量它們之間的電阻值，若測出均為幾百歐低電阻時，則紅表筆接觸的電極為基極b，此管為PNP管。若測出均為幾十至上百千歐的高電阻時，則紅表筆接觸的電極也為基極b，此管為NPN管。 在判別出管型和基極b的基礎上，利用三極體正向電流放大系數比反向電流放大系數大的原理確定集電極。任意假定一個電極為c極，另一個電極為e極。將萬用表量程開關撥在R×1k電阻擋上。對於：PNP管，令紅表筆接c極，黑表筆接e極，再用手同時捏一下管子的b、c極，但不能使b、c兩極直接相碰，測出某一阻值。然後兩表筆對調進行第二次測量，將兩次測的電阻相比較，對於：PNP型管，阻值小的一次，紅表筆所接的電極為集電極。對於NPN型管阻值小的一次，黑表筆所接的電極為集電極!

⑹ 一般功率mos管的導通電流參數如何選擇

1. 是用N溝道還是P溝道 。選擇好MOS管器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構 成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOS管，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開 關。通常會在這個拓撲中採用P溝道MOS管，這也是出於對電壓驅動的考慮。
確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件 的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大於干線電壓或匯流排電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源 極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定 電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備（如電機或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定 電壓也有所不同；通常，攜帶型設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。 2. 確定MOS管的額定電流。該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統產生 尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOS管處於穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電 流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。
選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況 下，MOS管並不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在「導通」時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確 定，並隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施 加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關於RDS（ON）電阻的各種電 氣參數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。
3.選擇MOS管的下一步是系統的散熱要求。須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議採用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全餘量，能確保系統不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數據；
器件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據這個式子可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等於I2×RDS（ON）。我們已將要通過器件的最大電流，可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。另外，還要做好電路板 及其MOS管的散熱。
雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值，並形成強電場使器件內電流增加。晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，最終提高器件的穩健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。
4. 選擇MOS管的最後一步是決定MOS管的開關性能。影響開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過 程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗（Eon）和關閉過程中的損耗（Eoff）。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達：Psw= （Eon+Eoff）×開關頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關性能的影響最大。

⑺ MOS管用數字萬用表怎麼測其好壞及引腳

用數字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應管為例。

一、先確定MOS管的引腳：

1、先對MOS管放電，將三個腳短路即可；

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MOS管的主要參數

1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、 直流輸入電阻RGS

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導；

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵MOS管放大能力的一個重要參數

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

6、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由於在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內

7、極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻雜訊系數NF

雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

雜訊性能的大小通常用雜訊系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）。這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小

低頻雜訊系數是在低頻范圍內測出的雜訊系數

場效應管的雜訊系數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小

⑻ 如何用萬用表檢測MOS管是好是壞

以N溝道MOS場效應管5N60C為例，來詳細介紹一下具體的測量方法。

1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法

6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數據。對於P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調換一下極性。

(8)mos測試開路用哪個數據擴展閱讀：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。