表格數據中的mos是什麼意思

A. 如何用萬用表檢測MOS管是好是壞

以N溝道MOS場效應管5N60C為例，來詳細介紹一下具體的測量方法。

1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法

6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數據。對於P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調換一下極性。

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。