什麼材料能夠儲存數據

❶ 計算機內存儲器一般用什麼作為存儲介質

計算機內存中儲存器一般用ROM作為儲存介質。

隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。

RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。

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RAM的特點為：

1、隨機存取

所謂「隨機存取」，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。

當RAM處於正常工作時，可以從RAM中讀出數據，也可以往RAM中寫入數據。與ROM相比較，RAM的優點是讀/寫方便、使用靈活，特別適用於經常快速更換數據的場合。

2、易失性

當電源關閉時，RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。

RAM的工作特點是通電後，隨時可在任意位置單元存取數據信息，斷電後內部信息也隨之消失。

3、對靜電敏感

正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。

4、訪問速度

現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。

5、需要刷新（再生）

現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電後代表1（二進制），未充電的代表0。由於電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。

刷新是指定期讀取電容器的狀態，然後按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

❷ 資料長期保存用什麼存儲介質好

lto磁帶，二三十年沒問題，而且單盤磁帶可以到30TB，缺點就是磁帶機太貴了

❸ 硅晶元存儲數據的原理是什麼

硅晶元存儲數據的原理是sram裡面的單位是若干個開關組成一個觸發器，形成可以穩定存儲0, 1信號，同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值。dram,主要是根據電容上的電量，電量大時，電壓高表示1反之表示0晶元就是有大量的這些單元組成的，所以能存儲數據。

硅材料具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，集成電路半導體器件大多數是用硅材料製造的。硅在室溫的化學性質很穩定，且現在的矽片加工工藝，很容易制備大尺寸平整度在納米級水平的矽片，使得該方法有望用於信息存儲技術。

相關資料

單晶硅：熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。

超純的單晶硅是本徵半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。

以上內容參考：網路-硅晶片

❹ 數據長期保存，使用什麼介質

固態硬碟。

固態硬碟的存儲介質分為兩種，一種是採用快閃記憶體（Flash晶元）作為存儲介質，另外一種是採用DRAM作為存儲介質。

前者就像高速、大容量U盤一樣，可用於移動存儲，後者主要固定於計算機中，作為高速存儲數據之用，它是一種高性能的存儲器，而且使用壽命很長，美中不足的是需要獨立電源來保護數據安全。

DRAM固態硬碟屬於非主流的設備，台式電腦和筆記本電腦常用SSD用於第一存儲硬碟，將操作系統安裝於此，以便開機啟動快速且可靠性高。

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固態硬碟快閃記憶體具有擦寫次數限制的問題快閃記憶體完全擦寫一次叫做1次P/E，因此快閃記憶體的壽命就以P/E作單位。34nm的快閃記憶體晶元壽命約是5000次P/E，而25nm的壽命約是3000次P/E。

隨著SSD固件演算法的提升，新款SSD都能提供更少的不必要寫入量。一款120G的固態硬碟，要寫入120G的文件才算做一次P/E。

普通用戶正常使用，即使每天寫入50G，平均2天完成一次P/E，3000個P/E能用20年。

另外，雖然固態硬碟的每個扇區可以重復擦寫100000次(SLC)，但某些應用，如操作系統的LOG記錄等，可能會對某一扇區進行多次反復讀寫，而這種情況下，固態硬碟的實際壽命還未經考驗。